R2J20602NP#G3
![품질 [#varpname#] 공장](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
설명:
IC MOSFET DRVR 12V 40A 56-QFN
분류:
반도체 집적 회로
사양
분류:
융합 회로 (IC)
전력 관리 (PMIC)
전체 반 브리지 운전자
결함 예방:
전류 제한, 과온, 단락, UVLO
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
패키지 / 케이스:
56-VFQFN 노출된 패드
신청서:
벅 컨버터
인터페이스:
PWM
경향 - 출력 / 채널:
-
패키지:
컷 테이프 (CT)
부하형:
귀납적입니다
제품 상태:
구식
특징:
상태 플래그
장착형:
표면 마운트
시리즈:
-
전압 - 부하:
7V ~ 7.8V
공급자의 장치 패키지:
56-hvqfn (8x8)
Mfr:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
전압 - 공급:
7V ~ 7.8V
경향 - 피크 출력:
40A
(Typ) 위의 Rds:
-
출력 구성:
하프 브리지
기술:
DrMOS
기본 제품 번호:
R2J20602
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| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
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