사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
100-tqfp (14x14)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
메모리 용량:
64Kbit
전압 - 공급:
3V ~ 3.6V
엑세스 시간:
15 나노 초
패키지 / 케이스:
100-LQFP
메모리구성:
4K X 16
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SRAM - 듀얼 포트, 비동기식
기본 제품 번호:
70V24L
메모리 포맷:
SRAM
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23S08T-1DCG8
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
이미지 | 부분 # | 설명 | |
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![]() |
HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
|
|
![]() |
HZS30NB2TD-E |
DIODE ZENER 0.4W
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RJK0653DPB-00#J5 |
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
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RJK0346DPA-00#J0 |
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23S08T-1DCG8 |
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