USE기능기능기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술기술
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
4Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
자동차, AEC-Q100
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
-
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
200-wfbga (10x14.5)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
마이크론 테크놀로지
클럭 주파수:
2.133 기가헤르츠
전압 - 공급:
1.1V
패키지 / 케이스:
200-wfbga
메모리구성:
128M X 32
작동 온도:
-40' C ~ 105' C (TC)
기술:
SDRAM - 모바일 LPDDR4
기본 제품 번호:
MT53E128
메모리 포맷:
DRAM
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MT41K64M16TW-107 :J
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
이미지 | 부분 # | 설명 | |
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MT40A4G8NEA-062E :F |
IC DRAM 32GBIT PARALLEL 78FBGA
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MT41K256M16TW-107 그것 :P |
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
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IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
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