Si3127DV-T1-GE3
![품질 [#varpname#] 공장](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
비샤이 실리코닉스
설명:
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
분류:
반도체 집적 회로
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 3V
작동 온도:
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
패키지 / 케이스:
SOT-23-6 씬, TSOT-23-6
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
10 Ｖ에 있는 30 nC
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
89m옴 @ 1.5A, 4.5V
FET은 타이핑합니다:
P-채널
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
4.5V, 10V
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
60 Ｖ
브그스 (맥스):
±20V
제품 상태:
액티브
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
833pF @ 20V
장착형:
표면 마운트
시리즈:
TrenchFET®
공급자의 장치 패키지:
6-TSOP
Mfr:
비샤이 실리코닉스
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
3.5A(Ta), 13A(Tc)
전력 소모 (맥스):
2W(Ta), 4.2W(Tc)
기술:
MOSFET (금속 산화물)
기본 제품 번호:
SI3127
관련 제품
SQJ409EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
IRFP448PBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
IRFBE30SPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
IRF644STRRPBF
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
SQJ486EP-T1 GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
SIHB24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
SQJA36EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
|---|---|---|---|
|
|
SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
|
|
|
|
IRFBE30SPBF |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
|
|
|
|
IRF644STRRPBF |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
|
|
|
|
SQJ486EP-T1 GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIHB24N80AE-GE3 |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
|
|
|
|
SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
|
|
|
|
SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
|
|
|
|
SQJA36EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
|
|
|
|
SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
|
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ:
