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IRF9530PBF

제조 업체:
비샤이 실리코닉스
설명:
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
분류:
반도체 집적 회로
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 4V
작동 온도:
-55' C ~ 175' C (TJ)
패키지 / 케이스:
TO-220-3
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
10 V에 있는 38 nC
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
300m옴 @ 7.2A, 10V
FET은 타이핑합니다:
P-채널
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
10V
패키지:
튜브
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
100 V
브그스 (맥스):
±20V
제품 상태:
액티브
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
860pF @ 25V
장착형:
구멍을 통해
시리즈:
-
공급자의 장치 패키지:
TO-220AB
Mfr:
비샤이 실리코닉스
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
12A (Tc)
전력 소모 (맥스):
88W (Tc)
기술:
MOSFET (금속 산화물)
기본 제품 번호:
IRF9530
소개
P 채널 100 V 12A (Tc) 88W (Tc) 구멍을 통해 TO-220AB
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MOQ: