FDP52N20
![품질 [#varpname#] 공장](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
1개
설명:
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
분류:
반도체 집적 회로
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 5V
작동 온도:
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
패키지 / 케이스:
TO-220-3
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
10 Ｖ에 있는 63 nC
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
49m옴 @ 26A, 10V
FET은 타이핑합니다:
엔-채널
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
10V
패키지:
튜브
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
200 Ｖ
브그스 (맥스):
±30V
제품 상태:
액티브
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
2900pF @ 25V
장착형:
구멍을 통해
시리즈:
UniFET™
공급자의 장치 패키지:
TO-220-3
Mfr:
1개
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
52A (Tc)
전력 소모 (맥스):
357W (Tc)
기술:
MOSFET (금속 산화물)
기본 제품 번호:
FDP52
관련 제품
고속 듀얼 인버팅 MOSFET 반도체 IC 게이트 드라이버 칩 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
|---|---|---|---|
|
|
고속 듀얼 인버팅 MOSFET 반도체 IC 게이트 드라이버 칩 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ:
