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1N5617E3

제조 업체:
마이크로칩 기술
설명:
다이오드 GEN PURP 400V 1A AXIAL
분류:
반도체 집적 회로
사양
분류:
개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제품 상태:
액티브
경향 - Vr에 있는 역누출:
400V에서 500nA
장착형:
구멍을 통해
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스):
800mV @ 3A
패키지:
가방
시리즈:
-
Vr, F에 있는 전기 용량:
35pF @ 12V, 1MHz
공급자의 장치 패키지:
한, 굴대입니다
역회복 시간 (트르):
150 나노 초
Mfr:
마이크로칩 기술
기술:
표준
작동 온도 - 결합:
-65' C ~ 175' C
패키지 / 케이스:
한, 굴대입니다
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
400 V
경향 - 평균 정류된 (Io):
1A
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
기본 제품 번호:
1N5617
소개
다이오드 400V 1A A 구멍을 통해, 축
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주식:
MOQ: