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SQJ409EP-T1_GE3

제조 업체:
비샤이 반도체
설명:
MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 인증
분류:
반도체 집적 회로
사양
트랜지스터 극성:
P-채널
상품 카테고리:
MOSFET
자격:
AEC-Q101
Id - 연속배수 경향:
60 A
Pd - 전력 소모:
68 W
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
40 V
포장:
테이프 & ; 릴 (TR)
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
2 V
패키지:
파워팩-SO-8-4
Rds에 - 드레인-소스 저항:
7mΩ
ROHS:
이용 가능하여서 녹색이 되세요
양 공장 팩:
3000
브그스 - 게이트-소스 전압:
- 20 V, + 20 V
큐그 - 게이트전하:
170nC
제조업자:
비샤이 반도체
소개
SQJ409EP-T1_GE3, 비샤이 반도체, MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로, 원래와 새로운 부품입니다.상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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