NVD2955T4G
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제조 업체:
1개
설명:
MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO
분류:
반도체 집적 회로
사양
트랜지스터 극성:
P-채널
기술:
Si
상품 카테고리:
MOSFET
증가하는 방식:
SMD/SMT
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
TO-252-3
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
- 60V
포장:
릴
Id - 연속배수 경향:
- 12A
Rds에 - 드레인-소스 저항:
155m옴
브그스 - 게이트-소스 전압:
20 Ｖ
큐그 - 게이트전하:
15 nC
제조업자:
1개
소개
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