FQP6N90C
제조 업체:
페어 차일드 반도체
설명:
MOSFET 900V N-Ch Q-FET 고급 C-시리즈
분류:
반도체 집적 회로
사양
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
6 A
증가하는 방식:
구멍을 통해
상표명:
QFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
TO-220-3
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
채널 모드:
향상
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
900 Ｖ
포장:
튜브
상품 카테고리:
MOSFET
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
30V
Rds에 - 드레인-소스 저항:
2.3옴
제조업자:
페어 차일드 반도체
강조하다:
FQP6N90C MOSFET semiconductor
,FQP6N90C power IC
,FQP6N90C transistor with warranty
소개
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