SQJ479EP-T1 GE3
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제조 업체:
실리코닉스 / 비샤이
설명:
MOSFET P 채널 -80Vds 20Vgs AEC-Q101 인증
분류:
반도체 집적 회로
사양
트랜지스터 극성:
P-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
- 32A
증가하는 방식:
SMD/SMT
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
PowerPAK-SO-8L-4
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
채널 모드:
향상
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
- 80V
포장:
릴
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
- 2.5V
상품 카테고리:
MOSFET
Rds에 - 드레인-소스 저항:
27.5mΩ
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
+/- 20 Ｖ
큐그 - 게이트전하:
150 nC
제조업자:
실리코닉스 / 비샤이
소개
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