NTS2101PT1G
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제조 업체:
1개
설명:
MOSFET -8V -1.4A P채널
분류:
반도체 집적 회로
사양
트랜지스터 극성:
P-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
- 1.4A
증가하는 방식:
SMD/SMT
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
SOT-323-3
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
채널 모드:
향상
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
- 8 Ｖ
포장:
릴
상품 카테고리:
MOSFET
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
8 Ｖ
Rds에 - 드레인-소스 저항:
117m옴
제조업자:
1개
소개
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