FQB8N90CTM
제조 업체:
페어 차일드 반도체
설명:
MOSFET N-CH/900V/8A/QFET C-시리즈
분류:
반도체 집적 회로
사양
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
6.3 A
증가하는 방식:
SMD/SMT
상표명:
QFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
TO-263-3
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
채널 모드:
향상
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
900 Ｖ
포장:
릴
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
5 Ｖ
상품 카테고리:
MOSFET
Rds에 - 드레인-소스 저항:
1.6옴
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
30V
큐그 - 게이트전하:
35 nC
제조업자:
페어 차일드 반도체
강조하다:
FQB8N90CTM MOSFET semiconductor IC
,FQB8N90CTM power transistor
,FQB8N90CTM electronic component
소개
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