NVD5C684NLT4G
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제조 업체:
1개
설명:
MOSFET T6 60V LL DPAK
분류:
반도체 집적 회로
사양
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
38 A
증가하는 방식:
SMD/SMT
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
TO-252-3
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
채널 모드:
향상
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
60 Ｖ
포장:
릴
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
1.2 Ｖ
상품 카테고리:
MOSFET
Rds에 - 드레인-소스 저항:
13.7밀리옴
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
+/- 20 Ｖ
큐그 - 게이트전하:
9.6nC(기압)
제조업자:
1개
소개
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