FGH60N60SMD
제조 업체:
페어 차일드 반도체
설명:
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. IGBT 트랜지스터 600V/60A Field Stop IGBT ver.
분류:
반도체 집적 회로
사양
게이트 발산기 누설 전류:
400 nA
상품 카테고리:
IGBT 트랜지스터
증가하는 방식:
구멍을 통해
25 Ｃ에 있는 연속적인 컬렉터전류:
120 A
Pd - 전력 소모:
600 Ｗ
수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:
600 Ｖ
패키지 / 케이스:
TO-247
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
포장:
튜브
최대 게이트 에미터 전압:
20 Ｖ
콜렉터-에미터 포화전압:
1.9V
제조업자:
페어 차일드 반도체
강조하다:
N-channel MOSFET 600V
,power semiconductor IC
,high voltage transistor
소개
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