FGA40T65SHD
제조 업체:
페어 차일드 반도체
설명:
IGBT 트랜지스터 650V FS Gen3 Trench IGBT
분류:
반도체 집적 회로
사양
게이트 발산기 누설 전류:
400 nA
상품 카테고리:
IGBT 트랜지스터
증가하는 방식:
구멍을 통해
25 Ｃ에 있는 연속적인 컬렉터전류:
80A
Pd - 전력 소모:
268W
수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:
650 Ｖ
패키지 / 케이스:
TO-3PN
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
포장:
튜브
최대 게이트 에미터 전압:
30V
콜렉터-에미터 포화전압:
2.14V
제조업자:
페어 차일드 반도체
강조하다:
FGA40T65SHD semiconductor IC
,FGA40T65SHD power transistor
,FGA40T65SHD high voltage IC
소개
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