NJVMJD32CT4G
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제조 업체:
1개
설명:
다링턴 트랜지스터 BIP DPAK PNP 3A 100V TR
분류:
반도체 집적 회로
사양
트랜지스터 극성:
PNP
상품 카테고리:
달링턴 트랜지스터
증가하는 방식:
SMD/SMT
Pd - 전력 소모:
15 Ｗ
수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:
100 Ｖ
패키지 / 케이스:
DPAK
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
포장:
릴
구성:
싱글
수집기 기본 전압 VCBO:
100 Ｖ
시리즈:
MJD32C
최대 컬렉터 차단 전류:
50 uA
방출기 기본 전압 VEBO:
5 Ｖ
제조업자:
1개
소개
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