FOD3180SD
![품질 [#varpname#] 공장](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
1개
설명:
OPTOISO 5KV 1CH 게이트 드라이버 8SMD
분류:
반도체 집적 회로
사양
상품 카테고리:
게이트 드라이버
상승 / 강하 시간 (Typ):
75ns, 55ns
전압 - 공급:
10 Ｖ ~ 20 Ｖ
@ qty:
0
장착형:
표면 마운트
경향 - DC 포워드 (조건) (맥스):
25mA
제조업자:
1개
최소 수량:
1000
Factory Stock:
0
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 100' Ｃ
경향 - 피크 출력:
2.5A
(민) 공통 모드 트랜지엔트 면역:
15kV/us
전압 - 차단:
5000Vrms
공급자의 장치 패키지:
8-SMD
펄스 폭 왜곡 (맥스):
65n
상태 부분:
액티브
경향 - 낮은 출력 하이:
2A, 2A
포장:
테이프 & ; 릴 (TR)
채널 수:
1
전압 - 포워드 (Vf) (Typ):
1.43V
전달 지연 트플에 / 티피하들 (맥스):
200ns, 200ns
패키지 / 케이스:
8-SMD, 갈매기 날개
기술:
광결합
승인:
cUL, UL
시리즈:
-
소개
관련 제품
고속 듀얼 인버팅 MOSFET 반도체 IC 게이트 드라이버 칩 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
|---|---|---|---|
|
|
고속 듀얼 인버팅 MOSFET 반도체 IC 게이트 드라이버 칩 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ:
