MASTERGAN4TR
제조 업체:
STM이크로전자
설명:
높은 전력 밀도 600V half-bri
분류:
반도체 집적 회로
사양
분류:
융합 회로 (IC)
전력 관리 (PMIC)
전체 반 브리지 운전자
경향 - 출력 / 채널:
4A, 6.5A
제품 상태:
액티브
특징:
부트스트랩 회로
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
전압 - 부하:
600V(최대)
부하형:
전기 용량이고 저항력이 있습니다
결함 예방:
온도, UVLO 위에서
공급자의 장치 패키지:
31-QFN(9x9)
신청서:
범용
Mfr:
STM이크로전자
경향 - 피크 출력:
7A, 16A
전압 - 공급:
4.75V ~ 9.5V
인터페이스:
논리
패키지 / 케이스:
31-VQFN 노출형 패드
(Typ) 위의 Rds:
225m옴 LS, 225m옴 HS
출력 구성:
하프 브리지
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 125' Ｃ (TJ)
기술:
이중 확산 금속 산화물 반도체
강조하다:
MASTERGAN4TR 전력 IC
,MASTERGAN4TR 반도체 칩
,MASTERGAN4TR 집적 회로
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