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STW26NM60N

제조 업체:
STM이크로전자
설명:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
분류:
반도체 집적 회로
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 4V
작동 온도:
150' C (TJ)
패키지 / 케이스:
TO-247-3
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
60nC @ 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
10A, 10V에 있는 165mOhm
FET은 타이핑합니다:
엔-채널
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
10V
패키지:
튜브
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
600 V
브그스 (맥스):
±30V
제품 상태:
액티브
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
1800pF @ 50V
장착형:
구멍을 통해
시리즈:
마드메쉬티엠 II
공급자의 장치 패키지:
TO-247-3
Mfr:
STM이크로전자
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
20A (Tc)
전력 소모 (맥스):
140W(시)
기술:
MOSFET (금속 산화물)
기본 제품 번호:
STW26
소개
N 채널 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) 구멍을 통해 TO-247-3
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