SCTW70N120G2V
제조 업체:
STM이크로전자
설명:
트랜스 SJT N-CH 1200V 91A HIP247
분류:
반도체 집적 회로
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
4.9V @ 1mA
작동 온도:
-55' Ｃ ~ 200' Ｃ (TJ)
패키지 / 케이스:
TO-247-3
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
150nC @ 18V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
50A, 18V에 있는 30mOhm
FET은 타이핑합니다:
엔-채널
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
18V
패키지:
튜브
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
1200 Ｖ
브그스 (맥스):
+22V, -10V
제품 상태:
액티브
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
3540pF @ 800V
장착형:
구멍을 통해
시리즈:
-
공급자의 장치 패키지:
HiP247™
Mfr:
STM이크로전자
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
91A (Tc)
전력 소모 (맥스):
547W(TC)
기술:
식페트 (탄화규소)
기본 제품 번호:
SCTW70
강조하다:
반도체 IC SCTW70N120G2V
,SCTW70N120G2V 전력 트랜지스터
,SCTW70N120G2V 고전압 IC
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