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SCT040H65G3AG

제조 업체:
STM이크로전자
설명:
자동차 등급 실리콘 카바이드
분류:
반도체 집적 회로
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
4.2V @ 1mA
작동 온도:
-55' C ~ 175' C (TJ)
패키지 / 케이스:
TO-263-8, D2Pak (7개 리드 + 탭), TO-263CA
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
39.5nC @ 18V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
55m옴 @ 20A, 18V
FET은 타이핑합니다:
엔-채널
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
15V, 18V
패키지:
테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴®
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
650 V
브그스 (맥스):
+18V, -5V
제품 상태:
액티브
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
920pF @ 400V
장착형:
표면 마운트
시리즈:
자동차, AEC-Q101
공급자의 장치 패키지:
H2PAK-7
Mfr:
STM이크로전자
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
30A (Tc)
전력 소모 (맥스):
221W(Tc)
기술:
식페트 (탄화규소)
기본 제품 번호:
SCT040
강조하다:

SCT040H65G3AG semiconductor IC

,

SCT040H65G3AG power module

,

SCT040H65G3AG with warranty

소개
N 채널 650 V 30A (Tc) 221W (Tc) 표면 장착 H2PAK-7
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