STW11NK100Z
제조 업체:
STM이크로전자
설명:
MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
분류:
반도체 집적 회로
사양
상품 카테고리:
MOSFET
브그스 (맥스):
±30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
8.3A(Tc)
@ qty:
0
FET은 타이핑합니다:
엔-채널
장착형:
구멍을 통해
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
162nC @ 10V
제조업자:
STM이크로전자
최소 수량:
1
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
10V
Factory Stock:
0
작동 온도:
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
FET 특징:
-
시리즈:
슈퍼메쉬티엠
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
3500pF @ 25V
공급자의 장치 패키지:
TO-247-3
상태 부분:
액티브
포장:
튜브
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
1.38옴 @ 4.15A, 10V
전력 소모 (맥스):
230W(시)
패키지 / 케이스:
TO-247-3
기술:
MOSFET (금속 산화물)
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
100uA에 있는 4.5V
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
1000V
강조하다:
STW11NK100Z 전력 MOSFET
,STW11NK100Z 반도체 IC
,STW11NK100Z 전자 부품
소개
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