STF6N65M2
제조 업체:
STM이크로전자
설명:
MOSFET 전력 MOSFET
분류:
반도체 집적 회로
사양
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
상품 카테고리:
MOSFET
증가하는 방식:
구멍을 통해
상표명:
엠디메시
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
TO-220-3
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
650 Ｖ
포장:
튜브
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
3 Ｖ
Id - 연속배수 경향:
4 A
Rds에 - 드레인-소스 저항:
1.35 오옴
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
25 Ｖ
큐그 - 게이트전하:
9.8엔씨
제조업자:
STM이크로전자
강조하다:
STF6N65M2 power MOSFET
,STF6N65M2 semiconductor IC
,STF6N65M2 high voltage transistor
소개
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