STGB30H60DFB
제조 업체:
STM이크로전자
분류:
반도체 집적 회로
사양
게이트 발산기 누설 전류:
+ / - 250나노
상품 카테고리:
IGBT 트랜지스터
증가하는 방식:
SMD/SMT
25 Ｃ에 있는 연속적인 컬렉터전류:
60 A
Pd - 전력 소모:
260 Ｗ
수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:
600 Ｖ
패키지 / 케이스:
D2PAK-3
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
최대 게이트 에미터 전압:
+/- 20 Ｖ
포장:
릴
구성:
싱글
콜렉터-에미터 포화전압:
1.55 Ｖ
제조업자:
STM이크로전자
강조하다:
STGB30H60DFB IGBT semiconductor
,STGB30H60DFB power IC
,STGB30H60DFB high voltage IC
소개
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