STGD18N40LZT4
제조 업체:
STM이크로전자
설명:
IGBT 트랜지스터 EAS 180 mJ-400 V 클램프 IGBT
분류:
반도체 집적 회로
사양
포장:
테이프 & ; 릴 (TR)
상품 카테고리:
IGBT 트랜지스터
자격:
AEC-Q101
수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:
360V
최대 게이트 에미터 전압:
12 Ｖ
패키지:
TO-252
구성:
싱글
ROHS:
이용 가능하여서 녹색이 되세요
양 공장 팩:
2500
연속 컬렉터 전류 Ic Max:
25A
제조업자:
STM이크로전자
강조하다:
STGD18N40LZT4 전력 MOSFET
,STGD18N40LZT4 반도체 IC
,STGD18N40LZT4 고전압 트랜지스터
소개
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