필터
필터
반도체 집적 회로
| 이미지 | 부분 # | 설명 | 제조 업체 | 주식 | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSP52T3G |
다링턴 트랜지스터 SS DL XSTR NPN 80V
|
1개
|
|
|
|
|
|
MJH6287G |
|
1개
|
|
|
|
|
|
NJD35N04T4G |
|
1개
|
|
|
|
|
|
RJH60F7BDPQ-A0#T0 |
IGBT 트랜지스터 IGBT
|
레네사스 전자제품
|
|
|
|
|
|
NGTB25N120FL3WG |
IGBT 트랜지스터 IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
|
1개
|
|
|
|
|
|
FGA40T65SHD |
IGBT 트랜지스터 650V FS Gen3 Trench IGBT
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. IGBT 트랜지스터 600V/60A Field Stop IGBT ver.
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
NGTB50N120FL2WG |
|
1개
|
|
|
|
|
|
FGH75T65UPD |
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
MUN5235DW1T1G |
양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스 100mA 50V BRT Dual NPN
|
1개
|
|
|
|
|
|
MMUN2113LT1G |
양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스 100mA 50V BRT PNP
|
1개
|
|
|
|
|
|
DTC114YET1G |
바이폴라 트랜지스터 - 미리 바이어싱시킨 100mA 50V BRT NPN
|
1개
|
|
|
|
|
|
MMUN2132LT1G |
양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스 100mA 50V BRT PNP
|
1개
|
|
|
|
|
|
MMUN2233LT1G |
바이폴라 트랜지스터 - 미리 바이어싱시킨 100mA 50V BRT NPN
|
1개
|
|
|
|
|
|
NSVDTA114EET1G |
양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스 SS SC75 BR XSTR PNP 50V
|
1개
|
|
|
|
|
|
NSVMUN5312DW1T2G |
양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스 SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
|
1개
|
|
|
|
|
|
SMUN5211DW1T1G |
양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스 SS BR XSTR NPN 50V
|
1개
|
|
|
|
|
|
SBC817-25LT1G |
양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스 SS GP XSTR SPCL TR
|
1개
|
|
|
|
|
|
SIHB33N60ET1-GE3 |
MOSFET N-채널 600V
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
|
|
NVMFS5C410NLT3G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
|
1개
|
|
|
|
|
|
HAT2169H-EL-E |
MOSFET MOSFET
|
레네사스 전자제품
|
|
|
|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET 트렌치 6 30V NCH
|
1개
|
|
|
|
|
|
SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 인증
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
|
|
NVD5C684NLT4G |
MOSFET T6 60V LL DPAK
|
1개
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C628NLT1G |
MOSFET 트렌치 6 60V NFET
|
1개
|
|
|
|
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
|
|
NTJD4001NT1G |
MOSFET 30V 250mA 듀얼 N채널
|
1개
|
|
|
|
|
|
BSS138K |
MOSFET 50V NCh 로직 레벨 강화 모드 FET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET 소형 신호 MOSFET 6.8V LO C
|
1개
|
|
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET 고급 C-시리즈
|
1개
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50KPBF |
MOSFET N채널 500V 17A
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET SO-8
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
MCH6445-TL-W |
MOSFET NCH 4A 60V 4V 드라이브 MCPH6
|
1개
|
|
|
|
|
|
SI7956DP-T1-GE3 |
MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
|
|
SQ2315ES-T1_GE3 |
MOSFET P채널 12V AEC-Q101 인증
|
실리코닉스 / 비샤이
|
|
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 듀얼 N-Ch 100V 사양 전원 트렌치
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
FDG6332C |
MOSFET 20V N&P 채널 파워 트렌치
|
1개
|
|
|
|
|
|
NTA7002NT1G |
MOSFET 30V 154mA N채널
|
1개
|
|
|
|
|
|
FDG6303N |
MOSFET SC70-6 N-CH 25V
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C442NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
|
1개
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
1개
|
|
|
|
|
|
IRFPC60LCPBF |
MOSFET N채널 600V 16암페어
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
|
|
FCH099N60E |
MOSFET SuperFET2 600V 느린 버전
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
FDMS86200 |
MOSFET 150V N채널 PowerTrench MOSFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
FQB8N90CTM |
MOSFET N-CH/900V/8A/QFET C-시리즈
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
FDPF18N20FT |
MOSFET UniFET 200V
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
FDD4685 |
MOSFET -40V P채널 PowerTrench MOSFET
|
1개
|
|
|
|
|
|
FDS8858CZ |
MOSFET 30V 듀얼 N & P-Ch PowerTrench MOSFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
FQD7P20TM |
MOSFET 200V P채널 QFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET 40V 듀얼 N & P-Ch PowerTrench MOSFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|

